全民K歌里的场控是什么意思，是干嘛的

一、全民K歌里的场控是什么意思，是干嘛的

场控是指管理这个房间的人，防止有人刷广告、刷屏、人身攻击等恶意事件发生，简单来说就是管理员，助手。

全民K歌家族一共有唱歌部门，考核部门，星探部门，场控部门，接待部门，管理部门，学员部门，宣传部门。

各自的职责是：

唱歌部门，主要是给家族增加歌曲数量，不定时间的跟着领班去打榜。

考核部门：主要是用于考核各种人员想进入部门的成员，以考核官结果为准

星探部门：主要是去家族，QQ群，威信，各种网络交友软件拉人互动。

场控部门：主要以文案为主，意思就是主要是给家族群里聊天保持干净，无黄图，无脏话等等，可以使用场控权限对那些不遵守群规的人一些惩罚、

接待部门：也是最重要的一个部门，接待部门是一个家族的形象，主要工作是接待新成员入家族，和新成员沟通修改好名称，上传好宣传图以及各种马甲。

管理部门：管理部门就是整个家族的管理人员形成的部门。

学员部门：学员就是一些待选的人员。

宣传部门：宣传部门其实跟星探差不多，但是主要是宣传家族形象和拉拢各种人员进家族。

管理这个房间的，防止刷广告，刷屏，人身攻击等恶意事件发生，说白了就是管理员，助手。

最主要的是访问量，及鲜花，要访问量，你需要很多粉丝，好友，一开始的时候你要主动加别人 求采纳

二、《全民K歌》里的场控是什么意思？

场控是指管理这个房间的人，防止有人刷广告、刷屏、人身攻击等恶意事件发生，简单来说就是管理员，助手。

全民K歌家族一共有唱歌部门，考核部门，星探部门，场控部门，接待部门，管理部门，学员部门，宣传部门。

各自的职责是：

唱歌部门，主要是给家族增加歌曲数量，不定时间的跟着领班去打榜。

考核部门：主要是用于考核各种人员想进入部门的成员，以考核官结果为准

星探部门：主要是去家族，QQ群，威信，各种网络交友软件拉人互动。

场控部门：主要以文案为主，意思就是主要是给家族群里聊天保持干净，无黄图，无脏话等等，可以使用场控权限对那些不遵守群规的人一些惩罚、

接待部门：也是最重要的一个部门，接待部门是一个家族的形象，主要工作是接待新成员入家族，和新成员沟通修改好名称，上传好宣传图以及各种马甲。

管理部门：管理部门就是整个家族的管理人员形成的部门。

学员部门：学员就是一些待选的人员。

宣传部门：宣传部门其实跟星探差不多，但是主要是宣传家族形象和拉拢各种人员进家族。

三、yy语音里场控是干什么的

第一：假如麦上歌手黑麦（没有发出声音）、影响房间秩序、演唱禁歌等，场控就需要控麦提醒歌手

第二：在排麦的歌手的人数较少时，需要调整麦序的时间

第三：房间游客超过一定人数时，场控需要限制游客的打字时间及数量

第四：假如游客有影响房间秩序、不尊重麦上歌手的行为，场控可视情节轻重，第一次提醒，第二次禁止其打字，严重者踢出房间.

第五：在歌手排麦的房间，场控需要记录麦上歌手的麦序数量

频道高级管理员对场控的要求是长时间在线5小时以上，有较好的沟通能力，尽量不要与游客及歌手产生争执

简单点说，就是一个管骂人的。刷频。

控制声音大小

YY语音场控部都有什么职位，每个职位都负责什么！ 所谓的实习场控就是在试用期阶段的管理员，过段时间如果他管理的好，就可以做正式场控了。

就是控制麦的

四、yy语音的场控，接待，管理，考核，守护之类的主要做些什么？

场控：简单的就是控制那频道里场子上的事情，比如说有人在歌手唱歌时发污言秽语啦，场控就有权利下那人马甲或踢出频道什么的......

接待：就是有游客等等不是自己频道的人进入自己所在的频道，接待新人游客的，为ta们做出简单的服务，比如帮助ta找人.......

管理：因频道个人而异。大多数是一个子频道或是父频道的主管。

考核：就是考官啦，比如频道要招个歌手呀，就得考核官出马，对应聘者进行考试。

守护：因频道而已，大多数是守护mm的。

五、为什么同为场控器件，IGBT的通态压降比MOSFET低？

IGBT

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。

从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

IGBT的特点:

1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。

2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。

4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。

5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。

IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。

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